| IXYS RF - DE275-501N16A - 场效应管 MOSFET N RF DE275 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:16A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
功耗:590W
封装类型:DE-275
针脚数:6
上升时间:2ns
功率, Pd:590W
封装类型:DE-275
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:1800pF
电流, Id 连续:16A
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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