 | IXYS SEMICONDUCTOR - IXDR30N120 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:50A
饱和电压, Vce sat 最大:2.4V
最大功耗:200W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:70ns
下降时间:70ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:50A
热阻, 结至外壳 A:0.6°C/W
电压, Vces:1200V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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