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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
操作 |
| MALICO - MBH30001-13L/2.0 - 散热器 30X30X13mm |
封装类型:BGA
热阻:6.9K/W
外宽:30mm
高度:12.7mm
热缩材料:Aluminium
外部高度:13mm
安装类型:Clip-on
长度:30mm
| 上海 0 新加坡 0 英国1 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| ROHM - UMB11NTN - 双晶体管 UM6 PNP/PNP |
模块配置:双
晶体管极性:Dual PNP
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:-100mA
直流电流???益 hFE:30
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
封装类型:SOT-363
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:30
| 上海 0 新加坡 0 英国3000 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| PM1450D | 原装现货 | 现货 | 封装: 批号:08/09+ | 特价出售 | | 删除 |
| LT1317BCMS8. | 原装现货LT | 现货 | 封装:MSOP 批号:15+ | 特价出售 | | 删除 |
| NATIONAL SEMICONDUCTOR - LMC555CM/NOPB - 芯片 定时器 15V SMD |
工作模式:非稳态 / 单稳态
计时器数:1
时钟, 外部输入:否
频率:3GHz
电源电压范围:2V to 15V
芯片封装类型:NSOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:NSOIC
最高工作频率:3MHz
电源电压 最大:15V
电源电压 最小:1.5V
表面安装器件:表面安装
| 上海70 新加坡495 英国1475 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| ANALOG DEVICES - ADM706TARZ - 芯片 监控器 3.08V 8SOIC |
阈值电压:4.4V
监控器数量:1
电源电压范围:1V to 5.5V
复位类型:低有效
电源电流:190μA
延时:200ms
封装形式:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
功耗:470mW
器件标号:706
导通电压阈值:4.4V
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:1V
表面安装器件:表面安装
输出电流 最大:20mA
输出类型:Push-Pull
| 上海59 新加坡 0 英国36 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| POWEREX - CM600HU-12F - 晶体管 IGBT模块 2400W Vceo:600V 600A 600V |
晶体管 IGBT模块 2400W Vceo:600V 600A 600V
| 美国 0 上海 0 美国21 新加坡 0 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| ROHM - UMB10NTN - 双晶体管 UM6 PNP/PNP |
模块配置:双
晶体管极性:Dual PNP
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:-100mA
直流电流???益 hFE:80
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
封装类型:SOT-363
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:80
| 上海 0 新加坡 0 英国2970 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| IMATRONIC - LGO145/40 - 激光发生器 |
波长, 典型值:830nm
外宽:22mm
外径:22mm
外部长度/高度:26mm
工作温度范围:-10°C to +50°C
波长峰值:830nm
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| FLUKE - TI20/337 - 热像仪 + 337 钳表 |
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGA25N120ANTD - 晶体管 IGBT TO-3P 每管30 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
电压, Vceo:1200V
封装类型:TO-3P
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:50ns
功率, Pd:312W
功耗:312W
封装类型:TO-3P
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:50A
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:25A
电流, Icm 脉冲:75A
表面安装器件:通孔安装
| 无库存 | 30 | 特价出售 | | 删除 |
| TYCO ELECTRONICS / POTTER & BRUMFIELD - 27E487 - 继电器插座 |
继电器插座
触点数:8
| 美国 0 上海 0 美国623 新加坡 0 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| ES4428F208 | 原装现货 | 现货 | 封装: 批号:最新批号 | 特价出售 | | 删除 |
| LT1317BCMS8TR | 原装现货LT | 现货 | 封装:SSOP-8 批号:15+ | 特价出售 | | 删除 |
| RKW483R3 | 原装现货TDK-Lambda Americas Inc. | 现货 | 封装:原厂封装 批号:16+/17+ | 特价出售 | | 删除 |
| LT1317BCS8TRPBF | 原装现货LT | 现货 | 封装:SOP8 批号:新 | 特价出售 | | 删除 |
| SEMIKRON - SK 50GB065 - 晶体管 IGBT模块 N通道 |
晶体管 IGBT模块 N通道
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| SEMIKRON - SK60GAL123 - 晶体管 IGBT模块 斩波 1200V |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:58A
饱和电压, Vce sat 最大:3V
电??, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 2
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:1
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITOP2
上升时间:90ns
功率, Pd:600W
安装孔中心距:38mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:58A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:57A
集电极电流, Ic 平均值:58A
集电极连续电流, Ic 最大值:40A
| 上海 0 新加坡 0 英国27 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| ROHM - UMD9NTR - 双晶体管 UM6 PNP/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:NPN / PNP
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:68
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
封装类型:SOT-363
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:68
| 上海 0 新加坡 0 英国2150 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| MAX1677EEE T | 原装 | 现货 | | 特价出售 | | 删除 |