 | IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN64N60P - 场效应管 MOSFET N型 SOT-227B |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:50A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.096ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:700W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOTOP
针脚数:4
N沟道栅极电荷 Qg:200nC
功率, Pd:700W
封装类型:ISOTOP
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.18°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电容值, Ciss 典型值:12000pF
电流, Id 连续:64A
表面安装器件:螺丝安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:200ns
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