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IXYS RF - DE375-102N12A - 场效应管 MOSFET N RF DE375   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:12A 电压, Vds 最大:1000V 开态电阻, Rds(on):0.95ohm 功耗:940W 封装类型:DE-375 针脚数:6 上升时间:3ns 功率, Pd:940W 封装类型:DE-375 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V 电压, Vds 典型值:1000V 电容值, Ciss 典型值:2000pF 电流, Id 连续:12A 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V 上海5 新加坡 0 英国25 1 特价出售 删除
MC10H107MELG   原装现货ON 现货 封装:BBG ECL GATE OR/NOR TRPL 批号:最新批号 特价出售 删除