| VISHAY SILICONIX - SIB911DK-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET 双路 PP PowerPAK SC-75 |
晶体管极性:Dual P
漏极电流, Id 最大值:-2.6A
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):0.295ohm
电压 @ Rds测量:8V
电压, Vgs 最高:-1V
功耗:1.1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-75
针脚数:6
上升时间:45ns
功率, Pd:3.1W
封装类型:SC-75
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:2.6A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1V
阈值电压, Vgs th 最低:0.4V
阈值电压, Vgs th 最高:1V
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