 | SEMELAB - BUZ906 - 场效应管 MOSFET P TO-3 |
晶体管极性:P沟道
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压, Vgs 最高:-1.5V
功耗:125W
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:125W
封装类型:TO-3
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vds 典型值:-200V
电流, Id 连续:8A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V
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