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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
操作 |
 | VISHAY BC COMPONENTS - MAL2 196 32334 E3 - 双层电容 0.33F |
电容:0.33F
电容容差 ±:-20%, +80%
额定电压:5.5V
系列:196
???装类型:Radial
安装类型:Through Hole
引脚节距:5mm
工作温度范围:-25°C to +70°C
电容介质类型:铝电解
主体直径:11.5mm
外部长度/高度:13mm
封装类型:Radial
表面安装器件:径向引线
| 上海 0 新加坡60 英国 0 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | VISHAY BC COMPONENTS - MAL2 196 13473 E3 - 双层电容 0.047F |
电容:0.047F
电容容差 ±:-20%, +80%
额定电压:6.3V
系列:196
封装类型:Radial
安装类型:Through Hole
引脚节距:5mm
工作温度范围:-25°C to +70°C
电容介质类型:铝电解
主体直径:13mm
外部长度/高度:9mm
封装类型:Radial
表面安装器件:径向引线
| 无库存 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | VISHAY BC COMPONENTS - MAL2 196 13104 E3 - 双层电容 0.1F 6.3V |
电容:0.1F
电容容差 ±:-20%, +80%
额定电压:6.3V
系列:196
封装类型:Radial
安装类型:Through Hole
引脚节距:5mm
工作温度范围:-25°C to +70°C
电容介质类型:铝电解
主体直径:13mm
外部长度/高度:9mm
封装类型:Radial
表面安装器件:径向引线
| 上海15 新加坡40 英国 0 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | VISHAY BC COMPONENTS - MAL2 196 13474 E3 - 双层电容 0.47F 6.3V |
电容:0.47F
电容容差 ±:-20%, +80%
额定电压:6.3V
系列:196
封装类型:Radial
安装类型:Through Hole
引脚节距:5mm
工作温度范围:-25°C to +70°C
电容介质类型:铝电解
主体直径:21mm
外部长度/高度:9mm
封装类型:Radial
表面安装器件:径向引线
| 上海 0 新加坡 0 英国503 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | VISHAY BC COMPONENTS - MAL2 196 13684 E3 - 双层电容 0.68F 6.3V |
电容:0.68F
电容容差 ±:-20%, +80%
额定电压:6.3V
系列:196
封装类型:Radial
安装类型:Through Hole
引脚节距:5mm
工作温度范围:-25°C to +70°C
电容介质类型:铝电解
主体直径:21mm
外部长度/高度:9mm
封装类型:Radial
表面安装器件:径向引线
| 上海 0 新加坡 0 英国6 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | MICROCHIP - 23A256-I/P - 芯片 SRAM 串口 256K 1.7V PDIP8 |
存储器容量:32Kbit
存储器配置:32K x 8bit
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:DIP
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:1.8V
存储器电压, Vccq:1.8V
存储器类型:SRAM
接口类型:Serial, SPI
电源电压 最大:1.95V
电源电压 最小:1.7V
表面安装器件:通孔安装
频率:16MHz
| 上海25 新加坡34 英国43 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | MICROCHIP - 23A256-I/SN - 芯片 SRAM 串口 256K 1.7V SOIC8 |
存储器容量:32Kbit
存储器配置:32K x 8bit
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:1.8V
存储器电压, Vccq:1.8V
存储器类型:SRAM
接口类型:Serial, SPI
电源电压 最大:1.95V
电源电压 最小:1.7V
表面安装器件:表面安装
频率:16MHz
| 上海26 新加坡425 英国157 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | MICROCHIP - 23A640-I/P - 芯片 SRAM 串口 64K 1.7V PDIP8 |
存储器容量:8Kbit
存储器配置:8K x 8bit
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:DIP
存储器容量:64Kbit
存储器电压 Vcc:1.8V
存储器电压, Vccq:1.8V
存储器类型:SRAM
接口类型:Serial, SPI
电源电压 最大:1.95V
电源电压 最小:1.7V
表面安装器件:通孔安装
频率:16MHz
| 上海45 新加坡628 英国65 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | MICROCHIP - 23A640-I/SN - 芯片 SRAM 串口 64K 1.7V SOIC8 |
存储器容量:8Kbit
存储器配置:8K x 8bit
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
存储器容量:64Kbit
存储器电压 Vcc:1.8V
存储器电压, Vccq:1.8V
存储器类型:SRAM
接口类型:Serial, SPI
电源电压 最大:1.95V
电源电压 最小:1.7V
表面安装器件:表面安装
频率:16MHz
| 上海45 新加坡629 英国13 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | MICROCHIP - 23K256-I/P - 芯片 SRAM 串口 256K 2.7V PDIP8 |
存储器容量:32Kbit
存储器配置:32K x 8bit
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:DIP
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:3V
存储器电压, Vccq:3V
存储器类型:SRAM
接口类型:Serial, SPI
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:通孔安装
频率:20MHz
| 上海16 新加坡153 英国557 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | MICROCHIP - 23K256-I/SN - 芯片 SRAM 串口 256K 2.7V SOIC8 |
存储器容量:32Kbit
存储器配置:32K x 8bit
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
存储器容量:256Kbit
存储器电压 Vcc:3V
存储器电压, Vccq:3V
存储器类型:SRAM
接口类型:Serial, SPI
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:表面安装
频率:20MHz
| 上海25 新加坡465 英国2087 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | MICROCHIP - 23K640-I/P - 芯片 SRAM 串口 64K 2.7V PDIP8 |
存储器容量:8Kbit
存储器配置:8K x 8bit
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:DIP
存储器容量:64Kbit
存储器电压 Vcc:3V
存储器电压, Vccq:3V
存储器类型:SRAM
接口类型:Serial, SPI
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:通孔安装
频率:20MHz
| 上海45 新加坡596 英国 0 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | MICROCHIP - 23K640-I/SN - 芯片 SRAM 串口 64K 2.7V SOIC8 |
存储器容量:8Kbit
存储器配置:8K x 8bit
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
存储器容量:64Kbit
存储器电压 Vcc:3V
存储器电压, Vccq:3V
存储器类型:SRAM
接口类型:Serial, SPI
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:表面安装
频率:20MHz
| 上海45 新加坡480 英国248 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | T510B685K006AS | 原装现货KEMET | 现货 | 封装:SMD钽电容 批号:11+ | 特价出售 | | 删除 |
| KNOWLES ACOUSTICS - BJ-21590-000 - 话筒 |
话筒
方向: 全向
表面安装
输出阻抗:3900欧姆
| 美国 0 上海 0 美国8 新加坡 0 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| RNC55H1561BSB14 | 原装现货最新原厂 | 现货 | 封装:PDF 批号:08+ | 特价出售 | | 删除 |
