STMICROELECTRONICS - VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK

STMICROELECTRONICS - VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK
制造商:STMICROELECTRONICS
库存编号:
制造商编号:VND14NV04-E
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格:特价出售
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描述信息:
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):35mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型:DPAK
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:7A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
产品属性:

重量(公斤):0.00195
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):35mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型:DPAK
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:7A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V