 | SEMELAB - BUZ906D - 场效应管 MOSFET P TO-3 |
晶体管极性:P沟道
漏极电流, Id 最大值:-16A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):0.75ohm
电压, Vgs 最高:-14V
功耗:250W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:250W
封装类型:TO-3
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vds 典型值:-200V
电流, Id 连续:16A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V
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