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IXYS RF - DE475-102N21A - 场效应管 MOSFET N RF DE475   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:24A 电压, Vds 最大:1000V 开态电阻, Rds(on):0.41ohm 功耗:1.8kW 封装类型:DE-475 针脚数:6 上升时间:5ns 功率, Pd:1800W 封装类型:DE-475 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V 电压, Vds 典型值:1000V 电容值, Ciss 典型值:5500pF 电流, Id 连续:24A 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V 上海 5 新加坡 0 英国145 1 特价出售 删除
IM4A325616010YC12YI   原装现货原厂全新 现货 封装:PDF查询 批号:0726+ 特价出售 删除