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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
操作 |
 | SANYO - 2SK3702 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 18A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:18A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):55mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:20W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220ML
针脚数:3
封装类型:TO-220ML
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:18A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
| 上海 0 新加坡 0 英国32 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | STMICROELECTRONICS - STF26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220FP |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.135ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220FP
封装类型:TO-220FP
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:10A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
| 上海 0 新加坡 0 英国1 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
 | INA159AIDGKR | 原装现货TI | 现货 | 封装:MSOP-8 批号:15+ | 特价出售 | | 删除 |
 | ROHM - DTC144EETL - 晶体管 数字式 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:68
封装类型:EMT3
功耗:150mW
封装类型:EMT3
应用代码:TL
总功率, Ptot:150W
晶体管类型:Digital Bipolar
最大连续电流, Ic:100mA
电流, Ic 最大:100mA
表面安装器件:表面安装
| 上海820 新加坡76 英国3145 | 1 | 特价出售 | | 删除 |
| 4512PC | 原装现货 | 现货 | 封装: 批号:最新批号 | 特价出售 | | 删除 |
