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- MSP430F5419IPZ - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 100LQFP
- MSP430F5418IPN - 芯片 微控制器 16位 128K闪存 80LQFP
- CD4527BE - 逻辑芯片 BCD码比率乘法器 16DIP
- CD4089BE - 逻辑芯片 二进制比率乘法器 16DIP
- CD74HC40105M - 逻辑芯片 FIFO寄存器 16SOIC
- SN74LS280N - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- CD74HCT280E - 逻辑芯片 奇偶发生器/校验器 9位 14DIP
- SN74AHCT123AD - 逻辑芯片 双路多谐振荡器 16SOIC
- SN74AHC123AD - 逻辑芯片 双路可再触发多谐振荡器 16SSOP
- CD74HCT423E - 逻辑芯片 可再触发单稳态多谐振荡器 16DIP
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分立器件
- VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220
- MCH6412-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 5A MCPH6
- 1SV315-TL-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT323
- STP13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220
- CPH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346
- 2SK4066-DL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 100A SOT404
- 2SK3705 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 60A TO220F
- FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96
- VNB35N07TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK
- VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223
- STF26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220FP
- MCH6617-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 1A MCPH6
- MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6
- 2SK3706 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 12A TO220F
- STB50N25M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 250V 28A D2PAK
- FW705-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 6A SOT96
- CPH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3.5A SOT346
- 1SV251-TB-E - 二极管 PIN型 50V 0.05A SOT23
- MCH3374-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3A MCPH3
- EC4307KF-TR - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 1.1A ECSP1208
- SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6
- VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
- SMCJ30A-E3/57T - 二极管 TVS 1.5KW 30V 单向 SMC
- SCH2315-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 0.9A SCH6
- CPH3440-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 7A SOT346
- SCH1417-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 15V 1.8A SCH6