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  • 1SS389
  • Toshiba America, Inc.
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  • Toshiba America, Inc.
  • Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
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  • 1SS385F
  • Toshiba America, Inc.
  • Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
  • 3页
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  • 4
  • 1SS385
  • Toshiba America, Inc.
  • Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
  • 2页
  • 155K
  • 5
  • 1SS385
  • Toshiba America, Inc.
  • DIODE
  • 2页
  • 124K
  • 6
  • 1SS384
  • Toshiba America, Inc.
  • DIODE
  • 2页
  • 117K
  • 7
  • 1SS384
  • Toshiba America, Inc.
  • Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
  • 2页
  • 134K
  • 8
  • 1SS383
  • Toshiba America, Inc.
  • DIODE
  • 2页
  • 114K
  • 9
  • 1SS383
  • Toshiba America, Inc.
  • Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
  • 2页
  • 127K
  • 10
  • 1SS382
  • Toshiba America, Inc.
  • DIODE
  • 2页
  • 128K
  • 11
  • 1SS382
  • Toshiba America, Inc.
  • Silicon Epitaxial Planar Type
  • 2页
  • 148K
  • 12
  • 1SS381
  • Toshiba America, Inc.
  • Diode Silicon Epitaxial Planar Type
  • 2页
  • 90K
  • 13
  • 1SS380
  • ROHM CO., LTD.
  • Switching Diode
  • 2页
  • 56K
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