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IC产品 IGBT - 单 - 北京首天伟业科技有限公司

晶体管 IGBT模块 1600W Vceo

  • 600V 400A 600V
  • 1200V 400A 1200V

晶体管 IGBT模块 890W Vceo

  • 1.2kV
  • 1200V 300A 1200V

最大功耗

  • 167W
  • 170W
  • 375W
  • 65W
  • 41W
  • 70W
  • 52W
  • 107W
  • 28W
  • 390W
  • 125W
  • 290W
  • 99W
  • 595W
  • 313W
  • 625W
  • 150W
  • 206W
  • 260W
  • 56W
  • 38W
  • 220W
  • 164W
  • 195W
  • 120W
  • 35W
  • 140W
  • 156W
  • 101W
  • 463W
  • 186W
  • 60W
  • 330W
  • 77mW
  • 200W
  • 49W
  • 255W
  • 44W
  • 500W
  • 130W
  • 178W
  • 63W
  • 100W
  • 350W
  • 300W
  • 39W
  • 250W
  • 240W
  • 160W

最大连续电流, Ic

  • 500A
  • 8.5A
  • 7A
  • 70A
  • 51A
  • 4A
  • 30A
  • 22A
  • 100A
  • 95A
  • 60A
  • 37A
  • 23A
  • 9A
  • 600A
  • 98A
  • 34A
  • 105A
  • 55A
  • 17A
  • 36A
  • 80A
  • 42A
  • 6.2A
  • 19A
  • 21A
  • 49A
  • 40A
  • 26A
  • 64A
  • 8A
  • 65A
  • 1.3A
  • 48A
  • 12A
  • 900A
  • 28A
  • 10A
  • 16A
  • 6A
  • 25A
  • 24A
  • 3A
  • 11A
  • 14A
  • 90A
  • 45A
  • 105A
  • 13A
  • 46A
  • 18A
  • 20A
  • 31A
  • 54A
  • 38A
  • 15A
  • 200A
  • 5A
  • 96A
  • 110A
  • 78A
  • 75A
  • 300A
  • 50A
  • 56A
  • 32A
  • 57A

总功率, Ptot

  • 200W
  • 463W
  • 195W
  • 104W
  • 290W
  • 70W
  • 125W
  • 625W
  • 167W
  • 313W

重量

  • 0.4kg
  • 0.5kg

针脚格式

  • 1G, 2C, 3E
  • GCE
  • GCE

针脚配置

  • Single
  • With flywheel diode
  • G(1), C(2), E(3)
  • Copack (FRD)

针脚数

  • 3
  • 5

下降时间

  • 18ns
  • 32ns
  • 75ns
  • 53ns
  • 24ns
  • 46ns
  • 95ns
  • 660ns
  • 47ns
  • 50ns
  • 720ns
  • 82ns
  • 39ns
  • 1200ns
  • 79ns
  • 70ns
  • 55ns
  • 120ns
  • 180ns
  • 124ns
  • 160ns
  • 250ns
  • 76ns
  • 110ns
  • 100ns
  • 460ns
  • 40ns
  • 2000ns
  • 11500ns
  • 80ns
  • 1600ns
  • 220ns
  • 65ns
  • 1400ns
  • 35ns
  • 170ns
  • 72ns
  • 300ns
  • 3600ns
  • 38ns
  • 45ns

下降时间典型值

  • 160ns
  • 35ns
  • 53ns
  • 30ns
  • 45ns
  • 180ns
  • 50ns
  • 40ns
  • 55ns
  • 79ns
  • 47ns
  • 150ns
  • 32ns
  • 220ns
  • 140ns

下降时间最大

  • 35ns
  • 1080ns
  • 760ns
  • 730ns
  • 80ns
  • 200ns
  • 500ns
  • 220ns
  • 590ns
  • 124ns
  • 638ns
  • 58ns
  • 120ns
  • 140ns
  • 940ns
  • 75ns
  • 150ns
  • 29ns
  • 300ns
  • 97ns
  • 260ns
  • 190ns
  • 170ns
  • 110ns

温度 @ 电流测量

  • 80°C
  • 65°C
  • 25°C
  • 100°C

外宽

  • 108mm
  • 110mm

外部深度

  • 62mm
  • 80mm

热阻, 结至外壳 A

  • 0.521°C/W
  • 0.33°C/W
  • 2.78°C/W
  • 0.65°C/W
  • 0.6°C/W
  • 0.75°C/W
  • 0.45°C/W
  • 0.5°C/W
  • 1.04°C/W
  • 1°C/W
  • 0.57°C/W
  • 0.74°C/W
  • 2°C/W
  • 0.32°C/W
  • 0.67°C/W
  • 0.735°C/W
  • 0.42°C/W
  • 4.16°C/W
  • 0.73°C/W
  • 3°C/W
  • 0.83°C/W

上升时间

  • 7ns
  • 21ns
  • 70ns
  • 460ns
  • 57ns
  • 10ns
  • 34ns
  • 82ns
  • 250ns
  • 40ns
  • 23ns
  • 52ns
  • 41ns
  • 22ns
  • 60ns
  • 18ns
  • 33ns
  • 32ns
  • 270ns
  • 75ns
  • 96ns
  • 29ns
  • 8ns
  • 600ns
  • 4.5ns
  • 24ns
  • 30ns
  • 150ns
  • 26ns
  • 12ns
  • 42ns
  • 8.5ns
  • 56ns
  • 35ns
  • 17ns
  • 80ns
  • 19ns
  • 36ns
  • 65ns
  • 120ns
  • 6.5ns
  • 27ns
  • 160ns
  • 37ns
  • 6ns
  • 200ns
  • 25ns
  • 180ns
  • 15ns
  • 28ns
  • 13ns
  • 110ns
  • 4500ns
  • 20ns
  • 100ns
  • 44ns
  • 220ns
  • 150000ns
  • 9.6ns
  • 77ns
  • 5ns
  • 11ns
  • 50ns
  • 45ns
  • 39ns
  • 16ns

器件标记

  • SGH80N60UFDTU
  • BUP213
  • FGH40N6S2

耐短路时间最短

  • 10μs
  • 10μs

满功率温度

  • 100°C
  • 25°C
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)		 数量
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC30UDPBF - 晶体管 IGBT TO-220 每管50 INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC30UDPBF - 晶体管 IGBT TO-220 每管50
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:23A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
  • 最大功耗:100W
  • 电压, Vceo:600V
  • 封装类型:TO-220
  • 针脚数:3
  • 上升时间:21ns
  • 下降时间最大:80ns
  • 功率, Pd:100W
  • 功耗:100W
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N沟道
  • 最大连续电流, Ic:23A
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vces:600V
  • 电流, Icm 脉冲:92A
  • 表面安装器件:通孔安装
    		• 无库存 50 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - GA200SA60UPBF - 晶体管 IGBT SOT-227 每管10只 VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - GA200SA60UPBF - 晶体管 IGBT SOT-227 每管10只
  • 晶体管类型:IGBT
  • 饱和电压, Vce sat 最大:1.6V
  • 电压, Vceo:600V
  • 封装类型:ISOTOP
  • 上升时间:75ns
  • 下降时间:460ns
  • 功率, Pd:500W
  • 功耗:500W
  • 封装类型:ISOTOP
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N沟道
  • 最大连续电流, Ic:200A
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vces:600V
  • 电流, Icm 脉冲:400A
  • 表面安装器件:通孔安装
    		• 无库存 10 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - GA200SA60SPBF - 晶体管 IGBT SOT-227 每管10只 VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - GA200SA60SPBF - 晶体管 IGBT SOT-227 每管10只
  • 晶体管类型:IGBT
  • 饱和电压, Vce sat 最大:1.1V
  • 电压, Vceo:600V
  • 封装类型:ISOTOP
  • 上升时间:60ns
  • 下降时间:660ns
  • 功率, Pd:630W
  • 功耗:630W
  • 封装类型:ISOTOP
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N沟道
  • 最大连续电流, Ic:200A
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vces:600V
  • 电流, Icm 脉冲:400A
  • 表面安装器件:通孔安装
    		• 无库存 10 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTG30N60A4 - 晶体管 IGBT N型 TO-247 每管30 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTG30N60A4 - 晶体管 IGBT N型 TO-247 每管30
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:75A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
  • 最大功耗:463W
  • 电压, Vceo:600V
  • 封装类型:TO-247
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 上升时间:12ns
  • 下降时间:38ns
  • 功率, Pd:463W
  • 功耗:463W
  • 封装类型:TO-247
  • 封装类型, 替代:SOT-249
  • 总功率, Ptot:463W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N
  • 最大连续电流, Ic:75A
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vces:600V
  • 电流, Icm 脉冲:240A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚格式:GCE
    		• 无库存 30 1 询价,无需注册 订购
    INFINEON - SKW25N120 - 晶体管 IGBT 快速 每管30 INFINEON - SKW25N120 - 晶体管 IGBT 快速 每管30
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:46A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:3.6V
  • 最大功耗:313W
  • 电压, Vceo:1200V
  • 封装类型:TO-247AC
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 上升时间:40ns
  • 下降时间:39ns
  • 功率, Pd:313W
  • 功耗:313W
  • 封装类型:TO-247AC
  • 总功率, Ptot:313W
  • 晶体管极性:N
  • 最大连续电流, Ic:46A
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vces:1200V
  • 电流, Ic @ Vce饱和:25A
  • 电流, Icm 脉冲:84A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
    		• 无库存 30 1 询价,无需注册 订购
    INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGP50B60PD1PBF - 晶体管 IGBT 每管25 INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGP50B60PD1PBF - 晶体管 IGBT 每管25
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:75A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.35V
  • 最大功耗:390W
  • 电压, Vceo:600V
  • 封装类型:TO-247AC
  • 针脚数:3
  • 上升时间:10ns
  • 功率, Pd:390W
  • 功耗:390W
  • 封装类型:TO-247AC
  • 晶体管极性:N沟道
  • 最大连续电流, Ic:75A
  • 电压, Vces:600V
  • 电流, Icm 脉冲:150A
  • 表面安装器件:通孔安装
    		• 无库存 25 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SGH80N60UFDTU - 晶体管 IGBT 每管30 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SGH80N60UFDTU - 晶体管 IGBT 每管30
  • 晶体??类型:IGBT
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
  • 电压, Vceo:600V
  • 封装类型:TO-3P
  • 针脚数:3
  • 上升时间:50ns
  • 下降时间:50ns
  • 功率, Pd:195W
  • 功耗:195W
  • 封装类型:TO-3P
  • 总功率, Ptot:195W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N
  • 最大连续电流, Ic:80A
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vces:600V
  • 电流, Icm 脉冲:220A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚格式:GCE
    		• 无库存 30 1 询价,无需注册 订购
    INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4064DPBF - 晶体管 IGBT 10A 600V TO-220 INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4064DPBF - 晶体管 IGBT 10A 600V TO-220
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:20A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:1.6V
  • 最大功耗:101W
  • 电压, Vceo:600V
  • 封装类型:TO-220
  • 针脚数:3
  • 上升时间:15ns
  • 功率, Pd:101W
  • 功耗:101W
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管极性:N Channel
  • 最大连续电流, Ic:20A
  • 电压, Vces:600V
  • 电流, Icm 脉冲:40A
  • 表面安装器件:通孔安装
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国58    		 1 1 询价,无需注册 订购
    INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4045DPBF - 晶体管 IGBT 6A 600V TO-220 INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4045DPBF - 晶体管 IGBT 6A 600V TO-220
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:12A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:1.7V
  • 最大功耗:77mW
  • 电压, Vceo:600V
  • 封装类型:TO-220
  • 针脚数:3
  • 上升时间:11ns
  • 功率, Pd:77W
  • 功耗:77W
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管极性:N Channel
  • 最大连续电流, Ic:12A
  • 电压, Vces:600V
  • 电流, Icm 脉冲:20A
  • 表面安装器件:通孔安装
    		• 上海 0
    新加坡 0
    ??国61    		 1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - STGY50NC60WD - 晶体管 IGBT N 600V 19A MAX247 STMICROELECTRONICS - STGY50NC60WD - 晶体管 IGBT N 600V 19A MAX247
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:110A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
  • 最大??耗:278W
  • 电压, Vceo:600V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:Max-247
  • 上升时间:17ns
  • 功率, Pd:260W
  • 功耗:260W
  • 封装类型:Max-247
  • 晶体管极性:N Channel
  • 最大连续电流, Ic:65A
  • 电压, Vces:600V
  • 电流, Icm 脉冲:250A
  • 表面安装器件:通孔安装
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - STGW40NC60WD - 晶体管 IGBT N 600V 40A TO-247 STMICROELECTRONICS - STGW40NC60WD - 晶体管 IGBT N 600V 40A TO-247
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:70A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
  • 最大功耗:250W
  • 电压, Vceo:600V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-247
  • 上升时间:12ns
  • 功率, Pd:250W
  • 功耗:250W
  • 封装类型:TO-247
  • 晶体管极性:N Channel
  • 最大连续电流, Ic:40A
  • 电压, Vces:600V
  • 电流, Icm 脉冲:230A
  • 表面安装器件:通孔安装
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国4    		 1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - STGW35NC60WD - 晶体管 IGBT N 600V 40A TO-247 STMICROELECTRONICS - STGW35NC60WD - 晶体管 IGBT N 600V 40A TO-247
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:70A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
  • 最大功耗:260W
  • 电压, Vceo:600V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-247
  • 上升时间:12ns
  • 功率, Pd:250W
  • 功耗:250W
  • 封装类型:TO-247
  • 晶体管极性:N Channel
  • 最大连续电流, Ic:37A
  • 电压, Vces:600V
  • 电流, Icm 脉冲:100A
  • 表面安装器件:通孔安装
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国30    		 1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - STGW30NC60VD - 晶体管 IGBT N 600V 40A TO-247 STMICROELECTRONICS - STGW30NC60VD - 晶体管 IGBT N 600V 40A TO-247
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:80A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
  • 最大功耗:250W
  • 电压, Vceo:600V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-247
  • 上升时间:11ns
  • 功率, Pd:250W
  • 功耗:250W
  • 封装类型:TO-247
  • 晶体管极性:N Channel
  • 最大连续电流, Ic:40A
  • 电压, Vces:600V
  • 电流, Icm 脉冲:100A
  • 表面安装器件:通孔安装
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国7    		 1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - STGW30NC120HD - 晶体管 IGBT N 1200V 30A TO-247 STMICROELECTRONICS - STGW30NC120HD - 晶体管 IGBT N 1200V 30A TO-247
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:60A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.75V
  • 最大功耗:220W
  • 电压, Vceo:1.2kV
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-247
  • 上升时间:11ns
  • 功率, Pd:220W
  • 功耗:220W
  • 封装类型:TO-247
  • 晶体管极性:N Channel
  • 最大连续电流, Ic:30A
  • 电压, Vces:1200V
  • 电流, Icm 脉冲:135A
  • 表面安装器件:通孔安装
    		• 上海 0
    新加坡30
    英国120    		 1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - STGW19NC60WD - 晶体管 IGBT N 600V 19A TO-247 STMICROELECTRONICS - STGW19NC60WD - 晶体管 IGBT N 600V 19A TO-247
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:42A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
  • 最大功耗:125W
  • 电压, Vceo:600V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-247
  • 上升时间:7ns
  • 功率, Pd:125W
  • 功耗:125W
  • 封装类型:TO-247
  • 晶体管极性:N Channel
  • 最大连续电流, Ic:22A
  • 电压, Vces:600V
  • 电流, Icm 脉冲:35A
  • 表面安装器件:通孔安装
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
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