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IC产品 MOSFET阵列 - 北京首天伟业科技有限公司

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.6V
  • 2.8V
  • 1V

最低阈值电压, Vgs th P沟道

  • 0.8V
  • 1V
  • 2.8V

最高电压, Vds P沟道

  • 60V
  • 30V

总功率, Ptot

  • 1.25W
  • 1.8W

针脚配置

  • S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1)
  • c
  • D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • 1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • D-com(1+8), S1(2+3),G1(4), S2(6+7),G2(5)

针脚数

  • 5
  • 6
  • 8

阈值电压, Vgs th 典型值

  • 3.3V
  • -700mV
  • 4V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • -1.6V
  • 1.6V
  • 1.9V
  • 2.5V
  • 2.2V
  • 1.3V
  • 1.1V
  • 1V
  • -1V
  • 1.8V
  • 3V
  • 1.7V
  • 0.45V
  • 0.8V
  • 0.7V
  • 1.4V
  • 1.2V
  • 2.6V
  • 0.6V
  • 2V
  • 0.9V
  • -0.9V

阈值电压, Vgs th 最低

  • 0.8V
  • 2.5V
  • -1V
  • 1V
  • 0.7V
  • 1.5V
  • 0.6V

阈值电压, Vgs th 最高

  • 2V
  • 1.7V
  • 100V
  • 0.5V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • 2.35V
  • 3V

芯片封装类型

  • A
  • B

外宽

  • 4.05mm
  • 6.2mm
  • 40.5mm

外部深度

  • 5.26mm
  • 28mm
  • 5.2mm

外部长度/高度

  • 1.2mm
  • 1.75mm
  • 15.43mm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V

  • 0.035ohm
  • 0.0285ohm
  • 0.03ohm
  • 0.04ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V

  • 0.03ohm
  • 0.028ohm
  • 0.041ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道

  • 0.055ohm
  • 0.04ohm
  • 0.036ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道

  • 0.054ohm
  • 0.053ohm
  • 0.12ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V

  • 0.023ohm
  • 0.019ohm
  • 0.045ohm
  • 0.0185ohm
  • 0.03ohm
  • 0.025ohm
  • 0.033ohm
  • 0.034ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道

  • 0.053ohm
  • 0.045ohm
  • 0.075ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道

  • 0.09ohm
  • 0.072ohm
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)		 数量
ZETEX - ZXMN6A25DN8 - 场效应管 MOSFET N DUAL SO-8 ZETEX - ZXMN6A25DN8 - 场效应管 MOSFET N DUAL SO-8
  • 晶体管极性:N沟道(双）
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.055ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 封装类型:SO
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SO-8 (SOIC-8)
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:ZXMN6A25D
  • 功率, Pd:1.25W
  • 总功率, Ptot:1.8W
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 电流, Id 连续:4.7A
  • 电流, Idm 脉冲:22A
  • 通态电阻, Rds on 最大:0.055ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - ZXMN6A11DN8 - 场效应管 MOSFET N DUAL SO-8 ZETEX - ZXMN6A11DN8 - 场效应管 MOSFET N DUAL SO-8
  • 晶体管极性:N沟道(双）
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.14ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 封装类型:SO
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SO-8 (SOIC-8)
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:ZXMN6A11D
  • 功率, Pd:1.8W
  • 总功率, Ptot:1.8W
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 电流, Id 连续:2.7A
  • 电流, Idm 脉冲:8.3A
  • 通态电阻, Rds on 最大:0.14ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - ZXMP3A16DN8 - 场效应管 MOSFET 双 PP SO-8 ZETEX - ZXMP3A16DN8 - 场效应管 MOSFET 双 PP SO-8
  • 晶体管极性:N沟道(双）
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.045ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 封装类型:SO
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SO-8 (SOIC-8)
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:ZXMP3A16
  • 功率, Pd:1.25W
  • 总功率, Ptot:1.25W
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电流, Id 连续:5.5A
  • 电流, Idm 脉冲:20A
  • 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.045ohm
  • 通态电阻, Rds on 最大:0.045ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低:-1V
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - SSM6P05FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET P沟道 0.2A 20V SOT23 TOSHIBA - SSM6P05FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET P沟道 0.2A 20V SOT23
  • 模块配置:Dual P Channel
  • 晶体管极性:PP
  • 漏极电流, Id 最大值:-200mA
  • 电压, Vds 最大:-20V
  • 开态电阻, Rds(on):3.3ohm
  • 电压 @ Rds测量:-4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
  • 功耗:300mW
  • 封装类型:US6
  • 封装类型:US6
  • 晶体管类型:Small Signal MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:0.2A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国2685    		 1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - SSM6N7002FU(TE85LF - 场效应管 MOSFET N沟道 0.2A 60V SOT23 TOSHIBA - SSM6N7002FU(TE85LF - 场效应管 MOSFET N沟道 0.2A 60V SOT23
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:NN
  • 漏极电流, Id 最大值:200mA
  • 电???, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):3ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 功耗:300mW
  • 封装类型:US6
  • 封装类型:US6
  • 晶体管类型:Small Signal MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:0.2A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国4930    		 1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.1A 50V SOT23 TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.1A 50V SOT23
  • 场效应管 MOSFET N沟道 0.1A 50V SOT23
    		•  上海 0
    新加坡 0
    英国4866    		 1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - SSM6L16FE(TE85LF) - 场效应管 MOSFET NP沟道 SSOTFMLP TOSHIBA - SSM6L16FE(TE85LF) - 场效应管 MOSFET NP沟道 SSOTFMLP
  • 模块配置:NP
  • 晶体管极性:NP
  • 漏极电流, Id 最大值:100mA
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):4ohm
  • 电压 @ Rds测量:-4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
  • 功耗:150mW
  • 封装类型:ES6
  • 封装类型:ES6
  • 晶体管类型:Small Signal MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:0.1A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国2093    		 1 1 询价,无需注册 订购
    DIODES ZETEX - DMP2240UDM-7 - 场效应管 MOSFET 双P沟道 SOT-26 DIODES ZETEX - DMP2240UDM-7 - 场效应管 MOSFET 双P沟道 SOT-26
  • 晶体管极性:P Channel
  • 开态电阻, Rds(on):150mohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-1V
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-26
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-26
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
  • 电压, Vds 典型值:-20V
  • 电流, Id 连续:-2A
    		• 无库存 1 5 询价,无需注册 订购
    DIODES ZETEX - DMN601VK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-563 DIODES ZETEX - DMN601VK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-563
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):2ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-563
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-563
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:305mA
    		• 无库存 1 5 询价,无需注册 订购
    DIODES ZETEX - DMN5L06VK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-563 DIODES ZETEX - DMN5L06VK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-563
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):2ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-563
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-563
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:50V
  • 电流, Id 连续:280mA
    		• 无库存 1 5 询价,无需注册 订购
    DIODES ZETEX - DMN5L06VAK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-563 DIODES ZETEX - DMN5L06VAK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-563
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):2ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-563
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-563
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:50V
  • 电流, Id 连续:280mA
    		• 无库存 1 5 询价,无需注册 订购
    DIODES ZETEX - DMN5L06DMK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-26 DIODES ZETEX - DMN5L06DMK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-26
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):2ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-26
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-26
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:50V
  • 电流, Id 连续:305mA
    		• 无库存 1 5 询价,无需注册 订购
    DIODES ZETEX - DMN5010VAK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-563 DIODES ZETEX - DMN5010VAK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-563
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):2ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-563
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-563
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:50V
  • 电流, Id 连续:280mA
    		• 无库存 1 5 询价,无需注册 订购
    DIODES ZETEX - DMN2004VK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-563 DIODES ZETEX - DMN2004VK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-563
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):550mohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-563
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-563
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:540mA
    		• 无库存 1 5 询价,无需注册 订购
    DIODES ZETEX - DMN2004DWK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-363 DIODES ZETEX - DMN2004DWK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-363
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):550mohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-363
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:540mA
    		• 无库存 1 5 询价,无需注册 订购
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