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IC产品 MOSFET阵列 - 北京首天伟业科技有限公司

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.6V
  • 2.8V
  • 1V

最低阈值电压, Vgs th P沟道

  • 0.8V
  • 1V
  • 2.8V

最高电压, Vds P沟道

  • 60V
  • 30V

总功率, Ptot

  • 1.25W
  • 1.8W

针脚配置

  • S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1)
  • c
  • D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • 1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • D-com(1+8), S1(2+3),G1(4), S2(6+7),G2(5)

针脚数

  • 5
  • 6
  • 8

阈值电压, Vgs th 典型值

  • 3.3V
  • -700mV
  • 4V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • -1.6V
  • 1.6V
  • 1.9V
  • 2.5V
  • 2.2V
  • 1.3V
  • 1.1V
  • 1V
  • -1V
  • 1.8V
  • 3V
  • 1.7V
  • 0.45V
  • 0.8V
  • 0.7V
  • 1.4V
  • 1.2V
  • 2.6V
  • 0.6V
  • 2V
  • 0.9V
  • -0.9V

阈值电压, Vgs th 最低

  • 0.8V
  • 2.5V
  • -1V
  • 1V
  • 0.7V
  • 1.5V
  • 0.6V

阈值电压, Vgs th 最高

  • 2V
  • 1.7V
  • 100V
  • 0.5V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • 2.35V
  • 3V

芯片封装类型

  • A
  • B

外宽

  • 4.05mm
  • 6.2mm
  • 40.5mm

外部深度

  • 5.26mm
  • 28mm
  • 5.2mm

外部长度/高度

  • 1.2mm
  • 1.75mm
  • 15.43mm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V

  • 0.035ohm
  • 0.0285ohm
  • 0.03ohm
  • 0.04ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V

  • 0.03ohm
  • 0.028ohm
  • 0.041ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道

  • 0.055ohm
  • 0.04ohm
  • 0.036ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道

  • 0.054ohm
  • 0.053ohm
  • 0.12ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V

  • 0.023ohm
  • 0.019ohm
  • 0.045ohm
  • 0.0185ohm
  • 0.03ohm
  • 0.025ohm
  • 0.033ohm
  • 0.034ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道

  • 0.053ohm
  • 0.045ohm
  • 0.075ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道

  • 0.09ohm
  • 0.072ohm
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)		 数量
SANYO - ECH8664R-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 7A ECH8 SANYO - ECH8664R-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 7A ECH8
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:7A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):23.5mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.4W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ECH8
  • 封装类型:ECH8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:7A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国100    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - ECH8663R-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 8A ECH8 SANYO - ECH8663R-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 8A ECH8
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:8A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):20.5mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.5W
  • 封装类型:ECH8
  • 封装类型:ECH8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:8A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国70    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - MCH6604-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 50V 0.25A MCPH6 SANYO - MCH6604-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 50V 0.25A MCPH6
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:250mA
  • 电压, Vds 最大:50V
  • 开态电阻, Rds(on):7.8ohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:800mW
  • 封装类型:MCPH
  • 封装类型:MCPH6
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:50V
  • 电流, Id 连续:0.25A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国75    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - MCH6602-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 0.35A MCPH6 SANYO - MCH6602-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 0.35A MCPH6
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:350mA
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):3.7ohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:800mW
  • 封装类型:MCPH
  • 封装类型:MCPH6
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:0.35A
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - FW232A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 8A SOT96 SANYO - FW232A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 8A SOT96
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:8A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):26mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:2.5W
  • 封装类型:SOP
  • 封装类型:SOP
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:8A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国400    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - FW231A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A SOT96 SANYO - FW231A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A SOT96
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:8A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):23mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:2.3W
  • 封装类型:SOP
  • 封装类型:SOP
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:8A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国89    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - FTD2019A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6A TSSOP8 SANYO - FTD2019A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6A TSSOP8
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态??阻, Rds(on):26mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.4W
  • 封装类型:TSSOP
  • 封装类型:TSSOP
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国65    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - FTD2017M-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A TSSOP8 SANYO - FTD2017M-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A TSSOP8
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极??:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):23mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.25W
  • 封装类型:TSSOP
  • 封装类型:TSSOP
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国55    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - FTD2017A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A TSSOP8 SANYO - FTD2017A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A TSSOP8
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极??:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):23mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.3W
  • 封装类型:TSSOP
  • 封装类型:TSSOP
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国20    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - FTD2011A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A TSSOP8 SANYO - FTD2011A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A TSSOP8
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:4A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态??阻, Rds(on):39mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.3W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TSSOP
  • 封装类型:TSSOP
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:4A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国90    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - ECH8655R-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 24V 9A ECH8 SANYO - ECH8655R-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 24V 9A ECH8
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:9A
  • 电压, Vds 最大:24V
  • 开态电阻, Rds(on):17mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ECH8
  • 封装类型:ECH8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:24V
  • 电流, Id 连续:9A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国75    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - ECH8649-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 7.5A ECH8 SANYO - ECH8649-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 7.5A ECH8
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:7.5A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):17mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.5W
  • 封装类型:ECH8
  • 封装类型:ECH8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:7.5A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国100    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - ECH8622R-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 7A ECH8 SANYO - ECH8622R-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 7A ECH8
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:7A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):23mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.5W
  • 封装类型:ECH8
  • 封装类型:ECH8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:7A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国75    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - ECH8621R-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A ECH8 SANYO - ECH8621R-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A ECH8
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:8A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):20mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.4W
  • 封装类型:ECH8
  • 封装类型:ECH8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:8A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国100    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - ECH8604-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A ECH8 SANYO - ECH8604-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A ECH8
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):30mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.5W
  • 封装类型:ECH8
  • 封装类型:ECH8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国75    		 1 1 询价,无需注册 订购
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