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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2506 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23-5 |
开态电阻, Rds(on):300mohm
开/使能输入极性:低有效
功耗:667mW
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOT-23
保护类型:Yes
电源电压 最大:20V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:20V
输出电流 最大:1200mA
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2505 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23-5 |
开态电阻, Rds(on):300mohm
开/使能输入极性:低有效
功耗:667mW
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
保护类型:Yes
电源电压 最大:20V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:20V
输出电流 最大:1200mA
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2504 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23-5 |
开态电阻, Rds(on):300mohm
开/使能输入极性:低有效
功耗:667mW
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOT-23
保护类型:Yes
电源电压 最大:20V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:20V
输出电流 最大:600mA
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2503 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23-5 |
开态电阻, Rds(on):300mohm
开/使能输入极性:低有效
功耗:667mW
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
保护类型:Yes
电源电压 最大:20V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:20V
输出电流 最大:600mA
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2502 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23-5 |
开态电阻, Rds(on):300mohm
开/使能输入极性:高有效
功耗:667mW
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
保护类型:Yes
电源电压 最大:20V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:20V
输出电流 最大:1A
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2501 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23-5 |
开态电阻, Rds(on):300mohm
开/使能输入极性:高有效
功耗:667mW
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
保护类型:Yes
电源电压 最大:20V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:20V
输出电流 最大:1A
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2500 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23-5 |
开态电阻, Rds(on):0.32ohm
开/使能输入极性:高有效
功耗:0.667mW
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
保护类型:Yes
电源电压 最大:20V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:20V
输出电流 最大:1A
功率, Pd:0.667W
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2125 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23-5 |
输入电压:5.5V
电流极限:1.5A
开态电阻, Rds(on):0.16ohm
开/使能输入极性:高有效
功耗:0.667W
输出数:1
内部开关:否
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
保护类型:Yes
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:1.8V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:5.5V
输入电压, 最低:1.8V
输入电压, 最高:5.5V
输出电流 最大:800mA
功率, Pd:0.667W
??体管极性:P
晶体管类型:MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2124 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23-5 |
输入电压:5.5V
电流极限:800mA
开态电阻, Rds(on):0.16ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:0.667W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
保护类型:Yes
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:1.8V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:5.5V
输入电压, 最低:1.8V
输入电压, 最高:5.5V
输出电流 最大:800mA
功率, Pd:0.667W
晶体管极性:P
晶体管类型:MOSFET
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上海 0
新加坡 0
英国224 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2123 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23-5 |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:800mA
开态电阻, Rds(on):0.16ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:0.667W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
保护类型:Yes
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:1.8V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:5.5V
输入电压, 最低:1.8V
输入电压, 最高:5.5V
输出电流 最大:800mA
功率, Pd:0.667W
时间, t off:70000ns
时间, t on:25000ns
晶体管极性:P
晶体管类型:MOSFET
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上海 0
新加坡60
英国2107 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF2116 - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-23-5 |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:300mA
开态电阻, Rds(on):0.16ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:0.667mW
输出数:1
内部开关:是
封装类型:SOT-23
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
保护类型:Yes
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:1.8V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:5.5V
输入电压, 最低:1.8V
输入电压, 最高:5.5V
输出电流 最大:300mA
关电电流:0.4A
功率, Pd:0.667W
时间, t off:25000ns
时间, t on:25000ns
晶体管极性:P
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:0.4A
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上海 0
新加坡10
英国3556 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FPF1005 - 场效应管 MOSFET 智能开关 MLP-6 |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:1.5A
开态电阻, Rds(on):0.05ohm
热保护:否
开/使能输入极性:高有效
功耗:1.2W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:MLP-6
针脚数:6
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:MLP-6
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
保护类型:Yes
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:1.2V
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:5.5V
输入电压, 最低:1.2V
输入电压, 最高:5.5V
功率, Pd:1.2W
时间, t off:10000ns
时间, t on:10000ns
晶体管极性:P
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:1.5A
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上海 0
新加坡90
英国1929 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - TPS2111PWG4 - 芯片 双电源复用器 |
电源负载开关类型:双高边
输入电压:5.5V
电流极限:1.25A
开态电阻, Rds(on):84mohm
热保护:是
功耗:3.87mW
输出数:1
内部开关:是
封装类型:TSSOP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:TSSOP
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
保护类型:Yes
器件标号:2111
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2.8V
芯片标号:2111
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:5.5V
输出电流 最大:1.25A
输出电压:6V
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上海 0
新加坡10
英国 0 |
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1 |
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FREESCALE SEMICONDUCTOR - FDC6331L - 芯片 晶体管 双路 PNP 4.5V 0.055MΩ |
芯片 晶体管 双路 PNP 4.5V 0.055MΩ
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无库存 |
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1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC6331L... - 配电（负荷）开关 |
配电（负荷）开关
6-SuperSOT
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无库存 |
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