MOS管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。
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贴片电感都是由漆包线绕制,有单线绕制和双线绕制的区别。单线绕制意思是:单根漆包线绕制于磁芯骨架;双线绕制意思是:两根漆包线同时绕制于磁芯骨架。
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近年来,随着晶体管特征尺寸的缩小,由于短沟道效应等物理规律和制造成本的限制,主流硅基材料与互补金属氧化物半导体(CMOS)技术正发展到10纳米工艺节点而难以突破。2019年,中芯国际集成电路制造有限公司完成了14纳米芯片的量产, 并以“N+1”制程冲击7纳米工艺。
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ESD(Electrostatic Discharge Protection Devices),静电保护元器件,又称瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件,主要应用于各类通信接口静电保护,比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等接口中。
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对于电子设备来说,工作时都会产生一定的热量,从而使设备内部温度迅速上升,如果不及时将该热量散发出去,设备就会持续的升温,器件就会因过热而失效,电子设备的可靠性能就会下降。因此,对电路板进行很好的散热处理是非常重要的。
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